بررسی پدیده حافظه داری آلیاژ Ni-Mn-Ga

مقدمه :

برخی از آلیاژهای Ni-Mn-Ga تاثیر حافظه داری شکلی را در میدان مغناطیسی بزرگ از خود نشان میدهند ، اثر حافظه داری مغناطیسی (MSME) در آلیاژهایی که تلفیقی از پنج لایه یا هفت لایه می باشند مشاهده شده است .سلول واحد مارتنزیت در این آلیاژها برای سادگی کار بصورت تتراگونال و یا اندکی ارتورومبیک تعیین می شود. پارامترهای دو قلویی برای استفاده این ساختار ، شبیه ساختار مدل پنج لایه بوسیله سلولهای تتراگونال fct یا bct تعیین می شوند . هرچند جابجایی اتم ها از این حالت با قاعده در ساختار چند لایه از -0.051 تا +0.051 تغییر می کنند و جابجایی دو قلویی به اندازه 0.108 انجام می شود بنابراین تغییر مکان در ساختار پنج لایه ای ، مانند تغییر مکان دو قلویی هاست . در نتیجه ،کرنش در اثر تحریک میدان مغناطیسی توسط حرکت باندهای دوقلویی ایجاد میشود و با ضریب موبیلیته دو قلویی ها مرتبط است این مساله برای تعیین ساختار کریستالوگرافی دو قلویی در مورد مدل هایی با ساختار پنج لایه در آلیاژهای Ni-Mn-Ga که تاثیر حافظه داری شکلی مغناطیسی را دارا می باشد ، دارای اهمیت می باشد.

شاهرخ جعفری دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد ، دانشگاه تهران

متالورژی / نشریه انجمن علمی – دانشجویی دانشکده مهندسی مواد دانشگاه صنعتی سهند

شماره 7 / بهار 83 صفحه10